Teile-Nr.

Vishay SQ Rugged N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 6.8 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 170-8409
Herst. Teile-Nr.:: SQ4850EY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay SQ Rugged N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 6.8 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 170-8409
Herst. Teile-Nr.:: SQ4850EY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SOIC
	Serie	SQ Rugged
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	47mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	20nC
	Maximale Verlustleistung Pd	6.8W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	1.55mm
	Breite	4mm
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SOIC
	Serie SQ Rugged
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 47mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC
	Maximale Verlustleistung Pd 6.8W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 1.55mm
	Breite 4mm
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: CN

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged

• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Approvals

AEC-Q101

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