Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 6.8 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
170-8409
Herst. Teile-Nr.:
SQ4850EY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SQ Rugged

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

6.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.55mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged


• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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