Infineon IRFL4310PbF IRFL4310TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 2,2 A 2,1 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N-Kanal-Konfiguration wählen.

Die HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SOT-223-Gehäuse wurde für die Oberflächenmontage mittels Dampfphase-, Infrarot-, oder Schwall-Lötverfahren-Technik entwickelt. Sein einzigartiges Gehäusedesign ermöglicht ein einfaches automatisches Pick-and-Place wie bei anderen SOT- oder SOIC-Gehäusen, hat aber den zusätzlichen Vorteil einer verbesserten thermischen Leistung durch eine vergrößerte Lasche für die Wärmeabführung. Verlustleistung von 1,0 W ist in einer typischen SMD-Anwendung möglich.

Vorteile:
Niedriger RDS (EIN)
Dynamische dv/dt-Bewertung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Betriebstemperatur von 175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.