Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2351
Herst. Teile-Nr.:: BSC500N20NS3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 170-2351
Herst. Teile-Nr.:: BSC500N20NS3GATMA1
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	24 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	TDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	96 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC @ 10 V
Breite	6.35mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

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