Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 85 A 57 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2275
Herst. Teile-Nr.:: BSC050N04LSGATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 85 A 57 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 170-2275
Herst. Teile-Nr.:: BSC050N04LSGATMA1
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	85 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	TDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	7,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	57 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	20 V
Breite	6.35mm
Länge	5.49mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 85 A 57 W, 8-Pin TDSON

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