onsemi NDS0605 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 169-8538
- Herst. Teile-Nr.:
- NDS0610
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 246,00
(ohne MwSt.)
€ 294,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 30 000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,082 | € 246,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 169-8538
- Herst. Teile-Nr.:
- NDS0610
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | NDS0605 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Länge | 2.92mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie NDS0605 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.93mm | ||
Länge 2.92mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor
Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.
Eigenschaften und Vorteile:
• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie
Anwendungen:
• Lastschaltung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi NDS0605 Typ P-Kanal 3-Pin NDS0610 SOT-23
- onsemi NDS0605 Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS0605 Typ P-Kanal 3-Pin NDS0605 SOT-23
- onsemi BSS138 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SN7002I Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
