DiodesZetex Einfach N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 12 V Erweiterung / 11 A 2.17 W, 6-Pin UDFN-2020

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RS Best.-Nr.:
169-0810
Herst. Teile-Nr.:
DMN1019UFDE-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

UDFN-2020

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.17W

Gate-Source-spannung max Vgs

8V, -8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Breite

2.05mm

Höhe

580μm

Länge

2.05mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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