STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-8839
Herst. Teile-Nr.:: STP18N65M2
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: STP18N65M2
Hersteller:: STMicroelectronics

STI18N65M2, STP18N65M2 N-channel 650 V 12 A MDmesh Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh M2
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	330 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Länge	10.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	20 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Höhe	15.75mm

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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