STMicroelectronics MDmesh STB18NM80 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 168-7535
- Herst. Teile-Nr.:
- STB18NM80
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Serie | MDmesh |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 295 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 190 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Länge | 10.75mm |
| Breite | 10.4mm |
| Höhe | 4.6mm |