STMicroelectronics STripFET II STP45NF06 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 38 A 80 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-6105
- Herst. Teile-Nr.:
- STP45NF06
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 27.12.2024 verfügbar.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Stange zu 50)
€ 1,241
(ohne MwSt.)
€ 1,489
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | € 1,241 | € 62,05 |
| 100 - 450 | € 0,927 | € 46,35 |
| 500 - 950 | € 0,787 | € 39,35 |
| 1000 - 4950 | € 0,631 | € 31,55 |
| 5000 + | € 0,574 | € 28,70 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 168-6105
- Herst. Teile-Nr.:
- STP45NF06
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 38 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Serie | STripFET II |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 28 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 80 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 4.6mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Länge | 10.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 9.15mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |