- RS Best.-Nr.:
- 168-4886
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065100K
- Hersteller:
- Wolfspeed
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- Wolfspeed
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET aus Siliziumkarbid der C3M-Serie von Cree Inc.
MOSFET mit neuer C3M-Siliziumkarbid-Technologie (SiC)
Mindestens 1000 V Drain-Source-Durchschlagsspannung im gesamten Betriebstemperaturbereich
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
Kriechstrecke/Abstand zwischen Drain und Source: 8 mm
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Blockierspannung bei niedrigem Drain-Source-Durchlasswiderstand
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
Schnelle intrinsische Diode mit geringer Sperrverzögerung
Mindestens 1000 V Drain-Source-Durchschlagsspannung im gesamten Betriebstemperaturbereich
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
Kriechstrecke/Abstand zwischen Drain und Source: 8 mm
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Blockierspannung bei niedrigem Drain-Source-Durchlasswiderstand
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
Schnelle intrinsische Diode mit geringer Sperrverzögerung
MOSFET-Transistoren, Cree Inc.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 35 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1000 V |
Gehäusegröße | TO-247-4 |
Serie | C3M |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 90 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V |
Verlustleistung max. | 113,5 W |
Gate-Source Spannung max. | –8 V, +19 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V |
Breite | 5.21mm |
Länge | 16.13mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Höhe | 23.6mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 4.8V |
- RS Best.-Nr.:
- 168-4886
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065100K
- Hersteller:
- Wolfspeed