IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK32N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 32 A 1,25 kW, 3-Pin TO-264
- RS Best.-Nr.:
- 168-4702
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK32N100Q3
- Hersteller:
- IXYS
Voraussichtlich ab 10.2.2025 verfügbar.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Stange zu 25)
€ 28,217
(ohne MwSt.)
€ 33,86
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 25 + | € 28,217 | € 705,425 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 168-4702
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK32N100Q3
- Hersteller:
- IXYS
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3
Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 32 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1000 V |
| Serie | HiperFET, Q3-Class |
| Gehäusegröße | TO-264 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 320 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 6.5V |
| Verlustleistung max. | 1,25 kW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5.13mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Länge | 19.96mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 26.16mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |