Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR

RS Best.-Nr.:: 168-4358
Herst. Teile-Nr.:: CSD17381F4T
Hersteller:: Texas Instruments

Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR

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RS Best.-Nr.:: 168-4358
Herst. Teile-Nr.:: CSD17381F4T
Hersteller:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3,1 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PICOSTAR
Serie	FemtoFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	250 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.1V
Gate-Schwellenspannung min.	0.65V
Verlustleistung max.	500 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	1.04mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	1,04 nC @ 4,5 V
Breite	0.64mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.35mm

Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments

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