onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 750 mA, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
166-2658
Herst. Teile-Nr.:
FDG8850NZ
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

750mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

US

Serie

PowerTrench

Montageart

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12, -12V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Länge

2mm

Breite

1.25mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

PowerTrench® Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON-PowerTrench®-MOSFETs von Semis sind optimierte Leistungsschalter, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückwärtserholung und eine weiche Rückwärtserholungsdiode, um zum schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Die Weichkörper-Diodenleistung der PowerTrench®-MOSFETs ist in der Lage, Snubber-Schaltkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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