onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.6 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 166-2629
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD8P10TM
- Hersteller:
- onsemi
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- 166-2629
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD8P10TM
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | QFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 530mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -4V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie QFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 530mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -4V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1 mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
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