onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 166-2591
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD8445
- Hersteller:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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