- RS Best.-Nr.:
- 166-2548
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2552
- Hersteller:
- onsemi
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (auf Rolle zu 800)
€ 0,998
(ohne MwSt.)
€ 1,198
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
800 + | € 0,998 | € 798,40 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 166-2548
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2552
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 37 A |
Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
Serie | PowerTrench |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 97 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
Länge | 10.67mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 11.33mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 4.83mm |
- RS Best.-Nr.:
- 166-2548
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2552
- Hersteller:
- onsemi