onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
166-1801
Herst. Teile-Nr.:
FDN327N
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.94mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.92mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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