onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 5.5 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-1789
Herst. Teile-Nr.:
FDS6930B
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

62mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.8nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

PowerTrench® Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON-PowerTrench®-MOSFETs von Semis sind optimierte Leistungsschalter, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückwärtserholung und eine weiche Rückwärtserholungsdiode, um zum schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Die Weichkörper-Diodenleistung der PowerTrench®-MOSFETs ist in der Lage, Snubber-Schaltkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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