STMicroelectronics STripFET II STB55NF06L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 55 A 95 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 166-1200
- Herst. Teile-Nr.:
- STB55NF06L
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 166-1200
- Herst. Teile-Nr.:
- STB55NF06L
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 55 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Serie | STripFET II |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 95 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.4mm |
| Breite | 9.35mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 27 nC @ 4,5 V |
| Höhe | 4.6mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |