Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-9989
Herst. Teile-Nr.:: PSMN4R3-30BL,118
Hersteller:: Nexperia

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: PSMN4R3-30BL,118
Hersteller:: Nexperia

PSMN4R3-30BL, N-channel 30V, 4.1mΩ logic level MOSFET in D2PAK Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	5,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.15V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	103 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	11mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	41,5 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.3mm
Höhe	4.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

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