Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-9989
Herst. Teile-Nr.:
PSMN4R3-30BL,118
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

103W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

11 mm

Länge

10.3mm

Höhe

4.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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