DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 425 mW, 3-Pin X1-DFN1006

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RS Best.-Nr.:
165-8628
Herst. Teile-Nr.:
DMP56D0UFB-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

200 mA

Drain-Source-Spannung max.

50 V

Gehäusegröße

X1-DFN1006

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.2V

Verlustleistung max.

425 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,58 nC @ 4 V

Länge

1.08mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

0.675mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.48mm

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc



MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.

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