Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 160 A 310 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
165-8165
Herst. Teile-Nr.:
IRFP1405PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

310W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

120nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.31mm

Länge

15.29mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


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