Teile-Nr.

Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 58 A 31.2 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 165-6980
Herst. Teile-Nr.:: SIRA14DP-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 555,00

(ohne MwSt.)

€ 666,00

(inkl. MwSt.)

Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	€ 0,185	€ 555,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 165-6980
Herst. Teile-Nr.:: SIRA14DP-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	58A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	19.4nC
	Durchlassspannung Vf	0.76V
	Maximale Verlustleistung Pd	31.2W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.12mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.25mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.4nC
	Durchlassspannung Vf 0.76V
	Maximale Verlustleistung Pd 31.2W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.12mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.25mm
	Automobilstandard Nein

Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 58 A 31.2 W, 8-Pin SO-8

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Verwandte Links