Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 58 A 31.2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
165-6980
Herst. Teile-Nr.:
SIRA14DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

31.2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.76V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Breite

5.26 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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