Vishay SIS430DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 21 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 165-6939
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS430DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 165-6939
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS430DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,9 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 52 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 26,5 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 3.15mm |
| Länge | 3.15mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 1.12mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-6939
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS430DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay