Vishay Si2366DS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-6910
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2366DS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | Si2366DS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie Si2366DS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der Serie Si2366DS von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 5,8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI2366DS-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein Niederspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem moderaten Spannungsbereich und unterstützt extreme Temperaturen, wodurch es sich für dichte Designs auf Leiterplattenebene eignet, bei denen eine geringe Grundfläche und ein kontrolliertes Schaltverhalten erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 42 mΩ Rds(on) sorgt für geringe Leitungsverluste beim Schalten
• 5,8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 30 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 6,4 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• Die Verlustleistung von 2,1 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C hält erhöhten Umgebungen stand
• 5,8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 30 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 6,4 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• Die Verlustleistung von 2,1 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C hält erhöhten Umgebungen stand
Anwendungen
• Geeignet für DC-Abwärtswandler in Automatisierungsgeräten
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Steuer- und Schnittstellenmodulen
• Wird für Motortreiberstufen in kleinen elektromechanischen Systemen verwendet
• Kann für Batterieschutz und Power-Path-Management verwendet werden
• Verwendet mit kompakten Verbraucher-Netzteilen, die oberflächenmontierbare Teile erfordern
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Steuer- und Schnittstellenmodulen
• Wird für Motortreiberstufen in kleinen elektromechanischen Systemen verwendet
• Kann für Batterieschutz und Power-Path-Management verwendet werden
• Verwendet mit kompakten Verbraucher-Netzteilen, die oberflächenmontierbare Teile erfordern
Welche Montageart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Es wird für die Oberflächenmontage in einem Drei-Pin-Gehäuse geliefert, das mit Standard-SOT-23-Fußabdrücken kompatibel ist.
Welche Gate-Spannungsfestigkeit sollten Entwickler erwarten?
Das Gerät toleriert Gate-Source-Spannungen bis zu 20 V, sodass der Gate-Antrieb innerhalb dieser Grenze bleiben muss.
In welchem Umgebungstemperaturbereich kann er betrieben werden?
Es ist spezifiziert für den Betrieb bei bis zu -55 °C und bis zu 150 °C Sperrschichttemperatur für breite thermische Grenzen.
Welche mechanischen Gehäusegrößen gibt es für das Layout?
Das Gehäuse misst ca. 3, 04 mm Länge, 1, 4 mm Breite und 1, 02 mm Höhe für die Grundfläche und Freiraumplanung.
Gibt es Umwelt- oder gesetzliche Merkmale zu beachten?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen für reduzierte gefährliche Stoffe.
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