Infineon OptiMOS P BSZ086P03NS3EGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 165-6879
Herst. Teile-Nr.:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS P BSZ086P03NS3EGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:: 165-6879
Herst. Teile-Nr.:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Hersteller:: Infineon

BSZ086P03NS3E G, OptiMOS P3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	40 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	OptiMOS P
Gehäusegröße	TSDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	13,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.9V
Gate-Schwellenspannung min.	3.1V
Verlustleistung max.	69 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	43,2 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	3.4mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm

Infineon OptiMOS P BSZ086P03NS3EGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P

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