STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-6550
Herst. Teile-Nr.:
STB18N60M2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

MDmesh M2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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