Infineon Isoliert HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 3.6 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-5940
Herst. Teile-Nr.:
IRF7380TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

73mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3,6A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF7380TRPBF


Dieser MOSFET ist für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert. Mit einer hohen Nennspannung und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 3,6 A ist er für Hochfrequenz-DC-DC-Wandler geeignet und gewährleistet eine zuverlässige Leistung. Sein fortschrittliches Design bietet eine praktische Lösung für Fachleute aus den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Mechanik, die eine vielseitige Komponente für ihre Schaltungen suchen.

Eigenschaften und Vorteile


• SO-8-Gehäuse nach Industriestandard gewährleistet Kompatibilität mit verschiedenen Anbietern

• Niedriger Rds(on) von 73mΩ optimiert den Wirkungsgrad bei Leistungsanwendungen

• Der Betrieb im Enhancement-Modus verbessert die Leistungsmerkmale

• Niedrige Gate-Ladung von 15nC ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten

• Maximale Drain-Source-Spannung von 80 V für hohe Leistungsanforderungen

• RoHS-konform und halogenfrei fördert die Umweltsicherheit

Anwendungsbereich


• Einsatz in Hochfrequenz-DC-DC-Wandlern zur Leistungsregelung

• Wirksam in Batteriemanagementsystemen, die eine geringe Verlustleistung erfordern

• Geeignet für Motorsteuerungen, die eine effiziente Schaltleistung benötigen

• Einsatz in Stromversorgungseinheiten zur Verbesserung der Gesamteffizienz

• Geeignet für die Ansteuerung induktiver Lasten wie Relais und Magnetspulen

Welche Auswirkungen hat der maximale kontinuierliche Drainstrom?


Der maximale Dauerstrom von 3,6 A zeigt, dass er auch höhere Ströme in Anwendungen wie Stromversorgungsschaltungen bewältigen kann und einen stabilen Betrieb ohne Überhitzung gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige Rds(on) auf die Leistung aus?


Der niedrige Rds(on) von 73mΩ reduziert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert die Gesamteffizienz des Systems, was insbesondere bei Hochfrequenzschaltanwendungen von Vorteil ist.

Welche Bedeutung haben die Temperaturwerte?


Der Betrieb zwischen -55°C und +150°C gewährleistet, dass das Bauteil auch rauen Umgebungsbedingungen standhält, wodurch es für industrielle Anwendungen geeignet ist.

Kann dieses Bauteil direkt auf Leiterplatten montiert werden?


Ja, das oberflächenmontierbare Design ermöglicht eine einfache Integration in PCB-Layouts, fördert effiziente Fertigungsprozesse und sorgt für platzsparende Vorteile in kompakten Designs.

Welchen Einfluss hat die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb?


Mit einer Gate-Schwellenspannung von 2V bis 4V bietet er Designflexibilität und ermöglicht die Kompatibilität mit verschiedenen Steuersignalen bei gleichzeitiger Gewährleistung einer effektiven Bauteilaktivierung.

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