Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SOT-323

RS Best.-Nr.:: 165-5861
Herst. Teile-Nr.:: BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SOT-323

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Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS MOSFET der P-Serie, 310 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 250 mW maximale Verlustleistung - BSS223PWH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein wesentliches Element in elektronischen Schaltungen und dient in zahlreichen Anwendungen als Schalter oder Verstärker. Sein P-Kanal-Design und seine Enhancement-Mode-Eigenschaften ermöglichen eine effiziente Stromsteuerung in oberflächenmontierten elektronischen Systemen. Aufgrund seiner Hochtemperaturfähigkeit eignet sich das Bauteil für Automobil- und Industrieanwendungen, bei denen es auf Leistung unter extremen Bedingungen ankommt.

Eigenschaften und Vorteile

• Verbessert die Effizienz durch einen niedrigen Einschaltwiderstand von 1,2Ω
• Unterstützt Hochtemperaturbetrieb bis zu 150°C
• Bietet robuste Leistung mit einer maximalen Spannung von 20 V
• Geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit minimalen Verzögerungszeiten
• Entspricht den AEC-Q101-Normen für Automobilanwendungen
• Beständiger Betrieb mit niedriger Gate-Ladung

Anwendungsbereich

• Antriebslasten im Automobilbau
• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge
• Implementiert in Stromversorgungsschaltungen für die Unterhaltungselektronik
• Wird in Verstärkern für Audio- und elektronische Geräte verwendet
• Einsatz in verschiedenen Automatisierungssystemen, die effizientes Schalten erfordern

Wie hoch ist der maximale Strom, den das Bauteil verarbeiten kann?

Der maximale kontinuierliche Drain-Strom beträgt 310 mA bei 25 °C und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter bestimmten Bedingungen.

Wie wird dieses Bauteil für Hochtemperaturumgebungen optimiert?

Er ist für Betriebstemperaturen von bis zu +150 °C ausgelegt und eignet sich daher für den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen.

Für welche Art der Montage ist dieser Transistor geeignet?

Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontage vorgesehen, was seine Integration in kompakte elektronische Systeme erleichtert.

Entspricht es irgendwelchen Automobilstandards?

Ja, es ist nach AEC-Q101 qualifiziert und erfüllt die strengen Zuverlässigkeitsstandards für Automobilanwendungen.

Welche Auswirkungen hat die On-Resistenz auf die praktische Anwendung?

Der niedrige Durchlasswiderstand von 1,2Ω minimiert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert den Gesamtwirkungsgrad und die thermische Leistung der Schaltungen.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	310 mA
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOT-323
Serie	OptiMOS P
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,1 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.2V
Gate-Schwellenspannung min.	0.6V
Verlustleistung max.	250 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	0,5 nC @ 4,5 V
Breite	1.25mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.8mm