Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SC-70

RS Best.-Nr.:: 165-5861
Herst. Teile-Nr.:: BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SC-70

Zwischensumme (3000 Stück, auf einer Rolle mit 3000)*

€ 123,00

(ohne MwSt.)

€ 147,00

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 25. Jänner 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	€ 0,041	€ 123,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 165-5861
Herst. Teile-Nr.:: BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	310mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SC-70
	Serie	OptiMOS P
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	-12V, +12V
	Durchlassspannung Vf	-1V
	Maximale Verlustleistung Pd	250mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.5nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.25mm
	Höhe	800μm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 310mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SC-70
	Serie OptiMOS P
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V
	Durchlassspannung Vf -1V
	Maximale Verlustleistung Pd 250mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.25mm
	Höhe 800μm
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: CN

Infineon OptiMOS MOSFET der P-Serie, 310 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 250 mW maximale Verlustleistung - BSS223PWH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein wesentliches Element in elektronischen Schaltungen und dient in zahlreichen Anwendungen als Schalter oder Verstärker. Sein P-Kanal-Design und seine Enhancement-Mode-Eigenschaften ermöglichen eine effiziente Stromsteuerung in oberflächenmontierten elektronischen Systemen. Aufgrund seiner Hochtemperaturfähigkeit eignet sich das Bauteil für Automobil- und Industrieanwendungen, bei denen es auf Leistung unter extremen Bedingungen ankommt.

Eigenschaften und Vorteile

• Verbessert die Effizienz durch einen niedrigen Einschaltwiderstand von 1,2Ω

• Unterstützt Hochtemperaturbetrieb bis zu 150°C

• Bietet robuste Leistung mit einer maximalen Spannung von 20 V

• Geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit minimalen Verzögerungszeiten

• Entspricht den AEC-Q101-Normen für Automobilanwendungen

• Beständiger Betrieb mit niedriger Gate-Ladung

Anwendungsbereich

• Antriebslasten im Automobilbau

• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge

• Implementiert in Stromversorgungsschaltungen für die Unterhaltungselektronik

• Wird in Verstärkern für Audio- und elektronische Geräte verwendet

• Einsatz in verschiedenen Automatisierungssystemen, die effizientes Schalten erfordern

Wie hoch ist der maximale Strom, den das Bauteil verarbeiten kann?

Der maximale kontinuierliche Drain-Strom beträgt 310 mA bei 25 °C und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter bestimmten Bedingungen.

Wie wird dieses Bauteil für Hochtemperaturumgebungen optimiert?

Er ist für Betriebstemperaturen von bis zu +150 °C ausgelegt und eignet sich daher für den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen.

Für welche Art der Montage ist dieser Transistor geeignet?

Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontage vorgesehen, was seine Integration in kompakte elektronische Systeme erleichtert.

Entspricht es irgendwelchen Automobilstandards?

Ja, es ist nach AEC-Q101 qualifiziert und erfüllt die strengen Zuverlässigkeitsstandards für Automobilanwendungen.

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P

Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.