Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55 A 200 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-5599
Herst. Teile-Nr.:
IRL2910STRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

140nC

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

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