Vishay SUD23N06-31 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 23 A 31.25 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 165-2431
Herst. Teile-Nr.:: SUD23N06-31-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay SUD23N06-31 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 23 A 31.25 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 165-2431
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Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	23A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	SUD23N06-31
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	31mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	31.25W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	6.22mm
	Höhe	2.38mm
	Länge	6.73mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie SUD23N06-31
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 31.25W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 6.22mm
	Höhe 2.38mm
	Länge 6.73mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: TW

MOSFET der Serie SUD23N06-31 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 60 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 23 A – SUD23N06-31-GE3

Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine moderate Spannungsbelastbarkeit und eine hohe Gleichstrombelastbarkeit erfordern. Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse für eine einfache Leiterplattenmontage und thermische Schnittstelle geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Die Drain-Source-Festigkeit von 60 V ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 23 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromlasten
• Niedrige Rds(on) von 31 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 11 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnelleres Schalten bei geringerer Antriebsenergie
• Die Verlustleistung von 31,25 W ermöglicht die Bewältigung erheblicher thermischer Lasten

Anwendungen

• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für die Stromverteilung in Motortreibern
• Wird mit Batteriemanagement- und Power-Rail-Schaltkreisen verwendet
• Kann für LED-Treiber-Stromschalter verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich für einen zuverlässigen Betrieb beachten?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber und Bias-Netzwerke die Vgs innerhalb dieses Schwellenwerts halten müssen, um Schäden zu vermeiden.

Wie funktioniert das Gerät bei extremen Temperaturen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und eignet sich sowohl für Kaltstartbedingungen als auch für erhöhte Sperrschichttemperaturen in anspruchsvollen Umgebungen.

Welche Gehäuseaspekte beeinflussen die thermische Handhabung auf der Leiterplatte?

Das TO-252-Gehäuse bietet einen thermischen Pfad zur Leiterplatte

eine geeignete Kupferfläche und thermische Leitungen unter der Montageplatte verbessern die Wärmeableitung und halten die Leistungsfähigkeit aufrecht.

Welche Pin-Konfiguration und -Zahl wird für die Layout-Planung verwendet?

Es handelt sich um ein dreipoliges Gerät, das das Footprint-Design vereinfacht und gleichzeitig direkte Strom- und Gate-Verbindungen für kompakte Layouts unterstützt.