onsemi NTD6415ANL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 83 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 163-2299
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD6415ANLT4G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | NTD6415ANL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 56mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie NTD6415ANL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 56mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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