Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP

RS Best.-Nr.:: 162-8556
Herst. Teile-Nr.:: CSD18533Q5A
Hersteller:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP

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RS Best.-Nr.:: 162-8556
Herst. Teile-Nr.:: CSD18533Q5A
Hersteller:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	NexFET
Gehäusegröße	VSONP
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	8,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	3,2 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5.8mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

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