Nexperia PMCM4401VNE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 6 A 12.5 W, 4-Pin WLCSP

RS Best.-Nr.:: 153-2892
Herst. Teile-Nr.:: PMCM4401VNEAZ
Hersteller:: Nexperia

Nexperia PMCM4401VNE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 6 A 12.5 W, 4-Pin WLCSP

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RS Best.-Nr.:: 153-2892
Herst. Teile-Nr.:: PMCM4401VNEAZ
Hersteller:: Nexperia

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	12V
	Serie	PMCM4401VNE
	Gehäusegröße	WLCSP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	120mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	8V
	Maximale Verlustleistung Pd	12.5W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	810μm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	810μm
	Höhe	160μm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 12V
	Serie PMCM4401VNE
	Gehäusegröße WLCSP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 8V
	Maximale Verlustleistung Pd 12.5W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 810μm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 810μm
	Höhe 160μm
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFETs für ≤ 20 V, Erhalten Sie die optimale Schaltlösungen für Ihren mobilen Designs: Wählen Sie aus einer Vielzahl von Einfach- und Zweifach-N-Kanal-MOSFETs mit bis zu 20 V. Großartige Zuverlässigkeit aufgrund unserer bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere Niederspannungs-MOSFETs sind einfach zu verwenden und wurden eigens entwickelt, um die Anforderungen mobiler Anwendungen mit niedrigen Treiberspannungen zu erfüllen.

N-Kanal-Trench-MOSFET für 12 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WLCSP) mit 4 Depots mit MOSFET-Technologie.

Niedrige Schwellenspannung

Extrem kleines Gehäuse: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm

Trench MOSFET-Technologie

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Low-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

Nexperia PMCM4401VNE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 6 A 12.5 W, 4-Pin WLCSP

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