Nexperia BUK9Y7R640E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 79 A 95 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
153-2862
Herst. Teile-Nr.:
BUK9Y7R6-40E,115
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

79A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

BUK9Y7R640E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.28mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

95W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.1 mm

Höhe

1.05mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 40 V, 7,6 mΩ, in LFPAK56, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK56 (Power SO8) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.

Q101-konform

Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt

Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:

Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C

12-V-Kfz-Systeme

Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung

Getriebesteuerung

Schalten von extrem hohen Leistungen

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