Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.2 A 8.33 W, 4-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 153-1892
- Herst. Teile-Nr.:
- PMXB56ENZ
- Hersteller:
- Nexperia
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 87mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 8.33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.15mm | |
| Höhe | 0.36mm | |
| Breite | 1.05 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 87mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 8.33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.15mm | ||
Höhe 0.36mm | ||
Breite 1.05 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFETs, 25 V – 30 V, robuste Leistung dank fortschrittlicher Technologie, einfach zu verwendende MOSFETs im Bereich von 25 V bis 30 V. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltleistung und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA). Benötigen Sie eine andere Nennspannung? Schauen Sie sich den Rest unseres riesigen Portfolios an, um mehr Optionen zu sehen.
N-Kanal Trench-MOSFET für 30 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Extrem kleines und dünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung
Sehr niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle von RDSon = 49 mΩ
Sehr schnelle Schaltung
Low-Side-Lastschalter und Ladeschalter für tragbare Geräte
Stromüberwachung in batteriebetriebenen mobilen Geräten
LED-Treiber
DC/DC-Wandler