Nexperia Einfach Typ N-Kanal 1 MOSFET Erweiterung, 4-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 153-1890
- Herst. Teile-Nr.:
- PMXB43UNEZ
- Hersteller:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 153-1890
- Herst. Teile-Nr.:
- PMXB43UNEZ
- Hersteller:
- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.36mm | |
| Länge | 1.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.36mm | ||
Länge 1.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
N-Kanal-MOSFETs ≤ 20 V, Holen Sie sich die optimalen Schaltlösungen für Ihre tragbaren Designs, Wählen Sie aus einer Vielzahl von Einfach- und Zweifach-N-Kanal-MOSFETs bis zu 20 V. Große Zuverlässigkeit dank unserer vertrauenswürdigen TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere einfach zu bedienenden Niederspannungs-MOSFETs wurden speziell für die Anforderungen von tragbaren Anwendungen mit niedrigen Antriebsspannungen entwickelt.
20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET, N-Kanal-Field-Effect-Transistor (FET) im Verstärkungsmodus in einem leitungslosen, ultrakleinen DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Kabelloses ultrakleines und dünnes SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Belichtetes Ablasspad für ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit
Sehr niedriger Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand RDSon = 42 mΩ
1 kV ESD-geschützt
Tiefseitiger Lastschalter und Ladeschalter für tragbare Geräte
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