Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.6 A 4.15 W, 3-Pin SOT-23

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153-1876
Herst. Teile-Nr.:
PMV27UPEAR
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-5.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

4.15W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Breite

1.4 mm

Länge

3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.

P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie

Niedrige Schwellenspannung

Sehr schnelle Schaltung

Verbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 980 mW

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBM

AEC-Q101-qualifiziert

LED-Treiber

Ausschalten

High-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

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