Nexperia BUK9M8560E N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12.8 A 31 W, 4-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 153-0662P
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9M85-60EX
- Hersteller:
- Nexperia
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- BUK9M85-60EX
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- Nexperia
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BUK9M8560E | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 192mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 2.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 900μm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BUK9M8560E | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 192mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 2.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 900μm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
