- RS Best.-Nr.:
- 150-3965
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0120100J
- Hersteller:
- Wolfspeed
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Wolfspeed stellt seinen neuesten Durchbruch in der SiC-Leistungsbauelementtechnologie mit dem branchenweit einzigen 1kV-SiC-MOSFET in einem neu optimierten Gehäuse vor, das für schnelle Schaltgeräte geeignet ist. Das neue 1-kV-Gerät wurde optimiert für Ladesysteme von Elektrofahrzeugen und dreiphasige industrielle Stromversorgungen und löst viele Herausforderungen beim Stromversorgungsdesign, indem es ein einzigartiges Gerät mit niedrigem Einschaltwiderstand, sehr geringer Ausgangskapazität und niedriger Quelleninduktivität bereitstellt – für eine perfekte Mischung aus niedrigen Schaltverlusten und niedrigen Leitungsverlusten.
Mindestens 1 kV Spannungsausfall über den gesamten BetriebstemperaturbereichGehäuse mit niedriger Quelleninduktivität und eigenem TreiberquellenpolHohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger AusgangskapazitätHohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 22 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1000 V |
Serie | C3M |
Gehäusegröße | TO-263-7 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 7 |
Drain-Source-Widerstand max. | 170 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V |
Verlustleistung max. | 83 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | +15 V, +9 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21,5 @ 4/+15 V |
Länge | 10.23mm |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 9.12mm |
Höhe | 4.32mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 4.8V |
- RS Best.-Nr.:
- 150-3965
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0120100J
- Hersteller:
- Wolfspeed