IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 146-4403
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-297
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFA80N25X3
- Hersteller:
- IXYS
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 10,19
(ohne MwSt.)
€ 12,23
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 200 Einheit(en) mit Versand ab 29. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | € 10,19 |
| 5 - 9 | € 8,73 |
| 10 - 24 | € 8,30 |
| 25 + | € 7,96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 146-4403
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-297
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFA80N25X3
- Hersteller:
- IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | HiperFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 390W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 83nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Breite | 11.05 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie HiperFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 390W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Breite 11.05 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Niedrigster Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit
Überlegene Durchbruchfähigkeit
Gehäuse nach internationaler Norm
Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge
Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
Motorsteuerung
DC/DC-Konverter
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Elektrisch betriebene Gabelstapler
Audioverstärker der Klasse D
Telekommunikationssysteme
Hohe Effizienz
Hohe Leistungsdichte
Erhöhte Systemzuverlässigkeit
Einfache Integration
200 MHz/330 DMI/s, MIPS32 microAptiv-Kern
Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung
12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul
Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS
microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression
CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren
SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe
Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG
10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle
Erweiterter Speicherschutz
2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash )
640 KB SRAM-Speicher
Verwandte Links
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal 3-Pin IXFA80N25X3 TO-263
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal 4-Pin TO-220
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal 4-Pin IXFP80N25X3 TO-220
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal 3-Pin IXFH80N25X3 TO-247
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal 3-Pin IXFH80N65X2 TO-247
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-268
- IXYS HiperFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-264