IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 80 A 390 W, 4-Pin TO-220

IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), ein globaler Hersteller von Leistungshalbleitern und integrierten Schaltkreisen (ICs) für Anwendungen in den Bereichen Energiewirtschaft, Energiemanagement, Transport, Medizin und Motorsteuerung, hat eine neue Produktlinie für Leistungshalbleiter herausgebracht: 250-V-Ultra-Junction-X3-Class-HiPerFET™-Power-MOSFETs. Bei Widerständen im eingeschalteten Zustand und Gate-Ladungen von jeweils nicht mehr als 4,5 Milliohm und 21 Nanocoulomb ermöglichen diese Geräte höchste Leistungsdichten und Energieeffizienz in einer Vielzahl von Hochgeschwindigkeits-Leistungsumwandlungsanwendungen. Die neuen MOSFETs, die mit einem Ladungskompensationsprinzip und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt wurden, bieten die klassenbeste Merit-Zahl (Widerstand im eingeschalteten Zustand mal Gate-Ladung), was zu den niedrigsten Leitungs- und Schaltverlusten führt. Sie weisen die niedrigsten Durchlasswiderstände in der Branche auf (z. B. 5 Milliohm im TO-264-Gehäuse und 4,5 Milliohm im SOT-227). Die schnellen intrinsischen HiPerFET™-Gehäusedioden der MOSFETs zeigen starke Soft-Recovery-Eigenschaften und minimieren Spannungsüberschwinger und elektromagnetische Störungen (EMI), insbesondere in Halb- oder Vollbrückentopologien. Durch eine niedrige Sperrverzögerungsladung und -zeit können die Körperdioden alle restlichen Energieformen während der Hochgeschwindigkeitsschaltung entfernen, um einen Geräteausfall zu vermeiden und hohe Effizienz zu erzielen. Zudem sind diese neuen Geräte für Stoßentladung ausgelegt und zeigen eine hervorragende dv/dt-Leistung. Sie sind robust gegen Geräteausfälle durch Spannungsspitzen und unbeabsichtigtes Einschalten von parasitären bipolaren Transistoren in der MOSFET-Struktur. Diese robusten Geräte erfordern weniger Klemmdioden und können für Spannungswandler mit weichem und hartem Schaltverhalten verwendet werden. Gut geeignet für Anwendungen mit Akkuladegeräten für leichte Elektrofahrzeuge (LEVs), synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerung, DC/DC-Wandler, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, elektrische Gabelstapler, Klasse-D-Audioverstärker und Telekommunikationssystemen. Die neuen 250-V-X3-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™-Gehäusedioden sind in den folgenden internationalen Normgrößen erhältlich: TO-3P, TO-220 (umspritzt oder Standard), TO-247, PLUS247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268HV, SOT-227. Einige Beispiele für Teilenummern sind IXFA60N25X3, IXFP80N25X3, IXFT170N25X3HV und IXFK240N25X3 mit Nennströmen von 60 A, 80 A, 170 A und 240 A.

Niedrigster Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS (EIN) und Gate-Ladung QgSchnelle Soft-Recovery-Gehäusediode mit dv/dt-RobustheitÜberlegene StoßentladungsfähigkeitInternationale StandardpaketeAkkuladegeräte für leichte ElektrofahrzeugeSynchrone Gleichrichtung in SchaltnetzteilenMotorsteuerungDC/DC-KonverterUnterbrechungsfreie StromversorgungenElektrisch betriebene GabelstaplerKlasse-D-AudioverstärkerTelekommunikationssystemeHohe EffizienzHohe LeistungsdichteVerbesserte SystemzuverlässigkeitEinfache Integration