Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 79 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
145-9486
Herst. Teile-Nr.:
IPB081N06L3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.45 mm

Höhe

4.57mm

Länge

10.31mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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