Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 54 A 79 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-6646
Herst. Teile-Nr.:: CSD18537NKCS
Hersteller:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 54 A 79 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: CSD18537NKCS
Hersteller:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	54 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	NexFET
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	18 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.6V
Verlustleistung max.	79 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.7mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	16.51mm

Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 54 A 79 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

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