Teile-Nr.

onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,3 W, 4-Pin WLCSP

RS Best.-Nr.:: 145-5598
Herst. Teile-Nr.:: FDZ661PZ
Hersteller:: onsemi

onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,3 W, 4-Pin WLCSP

Nicht verfügbar

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RS Best.-Nr.:: 145-5598
Herst. Teile-Nr.:: FDZ661PZ
Hersteller:: onsemi

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	2,6 A
	Drain-Source-Spannung max.	20 V
	Gehäusegröße	WLCSP
	Serie	PowerTrench
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand max.	315 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min.	0.3V
	Verlustleistung max.	1,3 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	0.8mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	6,3 nC @ 4,5 V
	Breite	0.8mm
	Höhe	0.15mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 2,6 A
	Drain-Source-Spannung max. 20 V
	Gehäusegröße WLCSP
	Serie PowerTrench
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand max. 315 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min. 0.3V
	Verlustleistung max. 1,3 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 0.8mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,3 nC @ 4,5 V
	Breite 0.8mm
	Höhe 0.15mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Ursprungsland:: MY

onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,3 W, 4-Pin WLCSP

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