ROHM RQ6C065BC RQ6C065BCTCR P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
- RS Best.-Nr.:
- 133-3305
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6C065BCTCR
- Hersteller:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6C065BCTCR
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | TSMT-6 |
| Serie | RQ6C065BC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 50 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
| Verlustleistung max. | 1,25 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Breite | 1.8mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC @ 4,5 V |
| Länge | 3mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 0.95mm |
- RS Best.-Nr.:
- 133-3305
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6C065BCTCR
- Hersteller:
- ROHM