- RS Best.-Nr.:
- 133-2949
- Herst. Teile-Nr.:
- US6K1TR
- Hersteller:
- ROHM
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- US6K1TR
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
Zweifach-N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 1,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-363 |
Serie | US6K1 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 340 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
Verlustleistung max. | 1 W |
Transistor-Konfiguration | Zwei Sockel |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Breite | 1.8mm |
Länge | 2.1mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,6 nC @ 4,5 V |
Höhe | 0.82mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
- RS Best.-Nr.:
- 133-2949
- Herst. Teile-Nr.:
- US6K1TR
- Hersteller:
- ROHM