- RS Best.-Nr.:
- 124-6840
- Herst. Teile-Nr.:
- RUM002N05T2L
- Hersteller:
- ROHM
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- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 50 V |
Gehäusegröße | SOT-723 |
Serie | RUM002N05 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 7,2 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V |
Verlustleistung max. | 150 mW |
Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
Breite | 0.8mm |
Länge | 1.2mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 0.5mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
- RS Best.-Nr.:
- 124-6840
- Herst. Teile-Nr.:
- RUM002N05T2L
- Hersteller:
- ROHM