Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

RS Best.-Nr.:: 124-2413
Herst. Teile-Nr.:: PSMN3R3-40YS,115
Hersteller:: Nexperia

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 124-2413
Herst. Teile-Nr.:: PSMN3R3-40YS,115
Hersteller:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	LFPAK, SOT-669
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	4,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	117 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	49 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 55 V

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