- RS Best.-Nr.:
- 124-2336
- Herst. Teile-Nr.:
- NX2301P,215
- Hersteller:
- Nexperia
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 2 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 120 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
Verlustleistung max. | 400 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,5 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 3mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 1.4mm |
Höhe | 1mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 124-2336
- Herst. Teile-Nr.:
- NX2301P,215
- Hersteller:
- Nexperia